半導體年度盛會「SEMICON TAIWAN 2026」今（2）日登場，經濟部產業技術司以「科技研發主題館」展出 29 項科專成果，聚焦先進封裝、AI 資料中心電源管理、半導體檢測及製造設備等領域，並攜手同欣電、山太士、永光化學、志聖工業、晶彩科技等業者，推動關鍵技術國產化，瞄準全球半導體供應鏈商機。
經濟部產業技術司司長郭肇中表示，根據摩根士丹利及 SEMI 資料，AI 產業快速成長，帶動全球半導體市場擴大，今年全球半導體總產值可望突破 1 兆美元，預估 2030 年達 1.5 兆美元。產業技術司近 6 年投入超過 400 億元進行前瞻研發，鎖定 AI、矽光子、量子、先進封裝及化合物半導體等領域，強化台灣半導體產業鏈。
此次展出的核心技術之一，是工研院攜手山太士、永光化學、志聖工業、晶彩科技等業者開發的「應用於 CoPoS 之雙面 RDL 關鍵製程整合技術」。面對傳統晶圓級封裝產能限制，CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）被視為突破封裝瓶頸的技術方向。
工研院表示，該技術可將基板翹曲度控制在傳統技術的更低水準，並首創「晶片位移線路補正」技術，線路補正精度達 1.5 µm；搭配特殊材料與製程整合，可形成高精細 3D 串接線路，擴大封裝線路密度及設計彈性，相關成果已打入全球半導體龍頭供應鏈。
AI 資料中心電力架構轉向高壓直流，也成為台廠布局的新戰場。因應 800 VDC 架構需求，工研院開發碳化矽（SiC）功率元件、功率模組、電子式繼電器及氮化鎵（GaN）電源等技術。其中，車用碳化矽模組已技轉同欣電子，碳化矽功率元件則移轉尼克森電子，並串聯鴻揚半導體、茂矽電子進行晶圓代工，逐步建立國產供應鏈；另與群創光電合作發展氮化鎵內埋式封裝，擴大功率半導體應用。
除了封裝與電源，檢測設備也是此次展出的重點。工研院開發「半導體晶圓 3D 形貌檢測技術」，透過陣列式干涉掃描模組，檢測效率達傳統設備 4 倍，量測精度可達 10 nm，並已技轉佳凌及和全豐，協助國內業者發展先進封裝檢測設備。
製造設備方面，工研院以交叉流場技術開發原子層沉積（ALD）設備，鍍膜速度提升 3 倍，均勻度超過 95%，並可支援多元材料沉積，串聯旭宇騰精密科技等業者建立國內供應鏈，協助記憶體製程提高關鍵設備自主率。
此外，針對 5 奈米以下先進製程，工研院開發「FOUP 式 EUV 劑量量測系統」，將無線晶圓式量測儀整合至 FOUP，可在產線機台運作時同步量測，檢測效率提升逾 8 倍，目前已完成半導體領先製造廠商場域驗證並洽談技轉合作。
郭肇中指出，經濟部也將半導體技術能量延伸至量子科技，透過「量子產業技術推動辦公室」鏈結美國 SEEQC、NantOptiFab 及日本富士通，推動共同開發、試製及測試驗證，盼進一步協助台灣業者切入全球量子科技供應鏈。