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Panasonic s'apprête à débuter la production de masse d'une commande de porte à haute vitesse destinée au transistor de puissance GaN baptisé X-GaN (TM)

Panasonic s'apprête à débuter la production de masse d'une commande de porte à haute vitesse destinée au transistor de puissance GaN baptisé X-GaN (TM)

MUNICH, Allemagne--(BUSINESS WIRE)--nov. 8, 2016--Panasonic Corporation a annoncé aujourd'hui que la société débuterait en novembre 2016 la production de masse d'une commande de porte à haute vitesse (AN34092B) optimisée pour le pilotage de son transistor de puissance GaN baptisé X-GaN. La société débutera également la production de masse de deux types de X-GaN (PGA26E07BA et PGA26E19BA), et fournira des solutions en combinaison avec les commandes de porte à haute vitesse.

Le présent Smart News Release (communiqué de presse intelligent) contient des éléments multimédias. Consultez l’intégralité du communiqué ici : http://www.businesswire.com/news/home/20161107006727/fr/

Single-channel high-speed gate driver for "X-GaN" power transistor AN34092B (Photo: Business Wire)

Le GaN fait partie des composants de semiconducteurs de nouvelle génération permettant de réaliser des économies d'espace et d'énergie, lorsqu'ils sont appliqués à des transistors utilisés dans différents blocs d'alimentation. Une commande de porte est nécessaire pour piloter un transistor ; néanmoins, les commandes de porte générales destinées aux transistors en silicium (Si) conventionnels ne peuvent pas tirer parti du potentiel des transistors GaN dans la mesure où la structure de la porte des transistors GaN diffère de celle des transistors Si.

La nouvelle commande de porte à haute vitesse (AN34092B) permet à notre X-GaN d'atteindre facilement et de manière sécurisée des performances de commutation à haute vitesse. Elle peut commander des transistors à des fréquences élevées allant jusqu'à 4 MHz, et intègre la fonction de pince active de miller [1], qui empêche les défaillances pendant la commutation à haute vitesse. Le X-GaN atteint un mode d'enrichissement de la répartition à 600 V [2] grâce à notre technologie unique, et offre une commutation à haute vitesse et une faible résistance sous tension [3]. La combinaison du X-GaN et des commandes de porte à haute vitesse dédiées contribuera à atteindre des économies significatives en termes d'espace et d'énergie pour de nombreuses unités de conversion de puissance destinées à une utilisation industrielle et grand public.

Le X-GaN et les commandes de porte à haute vitesse dédiées sont adaptés pour de nombreuses applications, parmi lesquelles les blocs d'alimentation de 100 W à 5 kW, les onduleurs, les centres de données, les stations de base mobiles, les produits électroniques grand public, les équipements audiovisuels, les dispositifs industriels et les dispositifs médicaux.

Le X-GaN et les commandes de porte à haute vitesse dédiées seront présentés lors de l'événement electronica 2016 de Munich, en Allemagne, du 8 (mardi) au 11 (vendredi) novembre de cette année.

[Vidéo] Panasonic débute la production de masse du transistor de puissance X-GaN [Anglais] http://channel.panasonic.com/contents/19314/ [Allemand] http://channel.panasonic.com/contents/19315/ *La vidéo en anglais est disponible au téléchargement à l'adresse https://vimeo.com/190235768/a7a95b0b72.

[À propos de la commande de porte à haute vitesse (AN34092B)] Gamme AN34092B Fonctionnalités • Commande de transistors à des fréquences élevées allant jusqu'à 4 MHz, permettant des économies d'espace • Obtention d'une vitesse de balayage élevée contribuant à des économies d'énergie • Intégration de la fonction de pince active de miller, permettant d'empêcher les défaillances pendant la commutation à haute vitesse

En savoir plus sur la commande de porte à haute vitesse (AN34092B) sur http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/#products-document

[À propos du X-GaN] Gamme PGA26E07BA (70 mΩ) et PGA26E19BA (190 mΩ) Fonctionnalités Le X-GaN atteint un mode d'enrichissement de la répartition à 600 V grâce à notre technologie unique, et à une absence de chute de courant [4]. Son fonctionnement à haute vitesse permet d'atteindre une efficacité plus élevée en matière de conversion de puissance, ainsi qu'une réduction supplémentaire de la taille.

En savoir plus sur le X-GaN à l'adresse http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/

[Informations connexes] [Communiqué de presse] Panasonic s'apprête à lancer le plus petit boîtier du marché pour les transistors de puissance GaN de 600 V à mode d’enrichissement (18 mai 2015) http://news.panasonic.com/global/press/data/2015/05/en150518-4/en150518-4.html [Vidéo] Récit de développement : « X-GaN », dispositif d'alimentation de nouvelle génération de Panasonic https://channel.panasonic.com/contents/16417/ Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/

[Note] [1] Pince active de miller La pince active de miller est une fonction qui règle directement le voltage de la porte par rapport au niveau du sol, afin de réduire les pointes de tension sur la porte dans les environnements bruyants, qui sont susceptibles d'engendrer la défaillance du transistor lorsque celui-ci est désactivé.

[2] Mode d'enrichissement Le mode d'enrichissement est une caractéristique des dispositifs de semiconducteurs, qui est normalement désactivé lorsqu'aucun voltage n'est appliqué à la porte. Ce mode est également appelé « normalement bloqué ».

[3] Faible résistance sous tension La résistance sous tension se définit comme étant la résistance entre l'électrode drain et l'électrode source d'un transistor, lorsque celui-ci est activé. Plus la valeur est faible, plus la perte du transistor est réduite.

[4] Chute de courant La chute de courant est un phénomène au cours duquel les électrons de la zone du drain sont piégés par l'énergie du haut voltage appliqué entre l'électrode drain et l'électrode source. Dans la mesure où les électrons piégés empêchent le flux de courant de l'électrode drain à l'électrode source lorsque le transistor est activé, la résistance sous tension augmente.

À propos de Panasonic Panasonic Corporation est un leader mondial spécialisé dans le développement de technologies et de solutions électroniques diverses destinées aux clients actifs dans les domaines des produits électroniques grand public, du logement, de l’automobile, des solutions d’entreprise et des dispositifs. Depuis sa création en 1918, la société s’est étendue à l’échelle mondiale. Elle exploite actuellement 474 filiales et 94 sociétés associées à travers le monde, et a enregistré un chiffre d’affaires net consolidé de 7,553 billions JPY pour l’exercice clos le 31 mars 2016. La société, dont la mission est d’établir une nouvelle valeur par le biais de l’innovation à travers ses divisions, utilise ses technologies afin de créer une vie et un monde meilleurs pour ses clients. Pour en savoir plus sur Panasonic, consultez :  http://www.panasonic.com/global.

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Consultez la version source sur businesswire.com :http://www.businesswire.com/news/home/20161107006727/fr/

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Panasonic Corporation

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E-mail:presscontact@ml.jp.panasonic.com

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SOURCE: Panasonic Corporation

Copyright Business Wire 2016.

PUB: 11/08/2016 12:49 AM/DISC: 11/08/2016 12:50 AM

http://www.businesswire.com/news/home/20161107006727/fr


Updated : 2021-10-19 20:47 GMT+08:00