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抵抗中國威脅 拜登力推《兩黨創新法案》促美國半導體晶片發展 

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美國總統拜登5月6日於俄亥俄州民主黨造勢場合上演說。(美聯社圖片)

美國總統拜登5月6日於俄亥俄州民主黨造勢場合上演說。(美聯社圖片)

(台灣英文新聞/楊琇羽 綜合外電報導)美國總統拜登周五(6日)前往俄亥俄州為民主黨期中選舉造勢,同日拜登向民主共和參眾兩院議員喊話,儘速通過《兩黨創新法案(Bipartisan Innovation Act)》以加強美國製造生產能力,尤其是半導體晶片這一塊。

路透報導,拜登6日在造勢場合自信指出,美國四月份增加42.8萬個工作機會,優於預期,也寫下連續12個月工作開缺破40萬的紀錄,製造業就業市場也寫下15年以來最長的榮景,有助推升出口與經濟成長。

6日拜登呼籲國會參眾兩院盡速通過創新法案,鼓勵大企業採用新興科技促進製程創新,多多向國內上游供應商採購,以及推動美國半導體產業發展,避免因亞洲地區供應鏈出現狀況而影響生產。

拜登說,這項計劃一方面也是為促進美國經濟轉型,為衰退的傳統工業生產地區「鐵鏽地帶(Rust Belt)」帶來新的就業機會與發展契機,改為生產更多晶片與重要的半導體元件,提升美國經濟競爭力,抵抗中國威脅。